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产(chan)品特点：

- MOSFET晶圆(yuan)测(ce)试(shi)最(zui)大达(da)16工位(wei)并(bing)行测试(shi)，每工(gong)位100v/10A测(ce)试能(neng)力

- 高(gao)压(ya)选(xuan)件(jian)，最(zui)大(da)电(dian)压(ya)可(ke)达(da)1000V

- 雪(xue)崩(beng)测(ce)试选件(jian)（UIS），最大(da)电(dian)流10A

- 其他(ta)交(jiao)流(liu)测试(shi)选件

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产品特(te)点(dian)：

- 基(ji)于STS8200同一(yi)个(ge)基本(ben)测(ce)试(shi)平(ping)台，扩展(zhan)出(chu)分立(li)器(qi)件(jian)专(zhuan)用测试单(dan)元

- 针对各(ge)类MOSFET，IGBT，肖特(te)基(ji)二极(ji)管的(de)测(ce)试(shi)

- 提(ti)供高电(dian)压(ya)，大(da)电(dian)流DC测试达2000V，200A

- 雪(xue)崩，热阻，Cg/Rg 测试选件

- 动态(tai)测(ce)试(shi)Switching，Trr, Irr测试选(xuan)件

- 菜(cai)单(dan)式编程(cheng)环(huan)境(jing)，分站测(ce)试数(shu)据自动(dong)整(zheng)合

- 在“CROSS”机柜下可(ke)扩展成模拟IC测试机

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产品特(te)点(dian)：

-基(ji)于STS8200测(ce)试(shi)平(ping)台的GaN FET专(zhuan)用测(ce)试(shi)套(tao)件(jian)

-测(ce)试(shi)能力(li)：1000V/10A DC

-内置(zhi)专用(yong)低(di)漏(lou)电(dian)测试模块，提(ti)供(gong)专用(yong)低漏电(dian)电缆(lan)至(zhi)探针(zhen)卡(ka)或(huo)机(ji)械(xie)手

-工(gong)位数：4/8工(gong)位并(bing)行(xing)测(ce)试(shi) （配置不(bu)同(tong)）

-支(zhi)持(chi)菜(cai)单(dan)式编(bian)程

-动态Ron等参(can)数测(ce)试选(xuan)件(jian)